Halbleitertechnologie ST Microelectronics stellt Serial Page EEPROM vor

Quelle: Pressemitteilung

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Der Speicher soll flexibler und leistungsfähiger sein, dabei aber weniger Strom verbrauchen.

Die neuen Serial Page EEPROMs kombinieren die auf 40-Nanometer-Strukturen basierende nichtflüchtige Speicherzellentechnologie e-STM von ST Microelectronics mit einer neuen, intelligenten Seitenarchitektur.
Die neuen Serial Page EEPROMs kombinieren die auf 40-Nanometer-Strukturen basierende nichtflüchtige Speicherzellentechnologie e-STM von ST Microelectronics mit einer neuen, intelligenten Seitenarchitektur.
(Bild: ST Microelectronics )

Das Unternehmen ST Microelectronics hat laut eigenen Angaben das erste Serial Page EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) vorgestellt. Laut einer Mitteilung handelt es sich dabei um einen seitenweise löschbaren SPI-Speicher hoher Dichte. Ein sogenannter EEPROM ist ein Halbleiterspeicher, der sich durch Spannungsimpulse beschreiben und löschen lässt.

Laut ST Microelectronics gibt eine neue Architektur Designern die Möglichkeit, Firmware-Management und flexible Datenspeicherung in ein und demselben Bauelement zu vereinen. Bisher sei das nicht möglich gewesen. Dies führe dazu, dass der Bauteileaufwand verringert und die Markteinführungszeit verkürzt wird. Auch kleinere Module mit geringem Stromverbrauch können so realisiert werden. Zusätzlich zeichnen sich die neuen Speicher durch kurze Lese-, Lösch- und Programmierzyklen aus, was zügige Up- und Downloads gewährleistet und damit für niedrigere Herstellungskosten und kürzere Stillstandszeiten der Anwendungen sorgt, so das Unternehmen.

Geeignet sind die Serial Page EEPROMs vor allem für industrielle IoT-Module, Wearables, Healthcare, Medizintechnik, elektronische Regalplatz-Etiketten, Smart Meter und 5G-Lichtwellenleiter-Module.

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